তাপমাত্রা বৃদ্ধির কারণে ট্রানজিস্টরের বেস ইমিটার ভোল্টেজের কী ঘটে?

ব্যাখ্যা;

NPN এবং PNP ট্রানজিস্টরের পরিকল্পিত

বেস ইমিটার ভোল্টেজ মানে ডায়োড জুড়ে ভোল্টেজ ড্রপ।

আমরা এখানে একটি ব্যাখ্যার জন্য NPN কনফিগারেশন বিবেচনা করছি।

অভ্যন্তরীণ ঘনত্ব নিম্নরূপে সংজ্ঞায়িত করা হয়:

\(n_i^2 = \frac{{{A_0}{T^3}{e^{ - \frac{{{E_G}_0}}{{kT}}}}}}{{{{\left( {c{m^3}} \right)}^2}}}\)

\({A_0} = 2.33 \times {10^{31}}{\left[ {\frac{{{m_n}{m_p}}}{{{m^2}}}} \right]^{\frac{3}{2}}}{e^{\frac{\beta }{k}}}\)

\(n_i^2 \propto {T^3}\)

ডায়োডের বাধাপ্রাপ্ত বিভবতা নিম্নরূপ সংজ্ঞায়িত করা হয়:

\({V_0} = \frac{{kT}}{q}\ln \left( {\frac{{{N_A}{N_D}}}{{n_i^2}}} \right)\)

\({V_0} \propto \frac{1}{{n_i^2}} \Rightarrow {V_0} \propto \frac{1}{{{T^3}}}\)

তাপমাত্রার সাথে ডায়োডের বৈশিষ্ট্যের তারতম্য হল:

• সাধারণত, যখন সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলিকে উত্তপ্ত করা হয়, তখন চার্জ ক্যারিয়ারগুলির চলাচল হবে, কারণ এই চার্জ বাহকগুলি সমযোজী বন্ধন থেকে মুক্ত হয়।
• চার্জ ক্যারিয়ারগুলি ইতিমধ্যে চলমান চার্জ ক্যারিয়ারগুলিতে যুক্ত করে এবং তাদের সাথে সারিবদ্ধ করে, যেমন, তারা প্রতিস্থাপনের জন্য অধিক শক্তি রাখে, এই শক্তি পরিবাহী ব্যান্ড এবং যোজ্যতা ব্যান্ডের ব্যবধান হ্রাস করে।
• তাই ফরোয়ার্ড-ভোল্টেজ হ্রাস। সাধারণত, প্রতি ডিগ্রি তাপমাত্রা বৃদ্ধির জন্য, ফরোয়ার্ড বায়াস ভোল্টেজের 2.5 mV হ্রাস হয়।
• তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সাথে বেস-ইমিটার ভোল্টেজ হ্রাস পাবে।

বিঃদ্রঃ:

Ge ট্রানজিস্টরে VBE তাপমাত্রায় 2.1 mV/°C বৃদ্ধি পায়

\(\frac{{d{V_{BE}}}}{{dT}} = - 2.1mV/^\circ C\)

Si ট্রানজিস্টরে VBE তাপমাত্রায় 2.3 mV/°C বৃদ্ধি পায়

\(\frac{{d{V_{BE}}}}{{dT}} = - 2.3mV/^\circ C\)

সাধারণভাবে VBE তাপমাত্রায় 2.5 mV/°C বৃদ্ধি পায়

\(\frac{{d{V_{BE}}}}{{dT}} = - 2.5mV/^\circ C\)